Samsung to Use TSMC Technology for Nvidia's Next-Gen Memory Chips

Economic Times - Tech · technology

Samsung Electronics will reportedly use TSMC's 3-nanometre process to produce base dies for Nvidia's next-generation high-bandwidth memory (HBM) chips. This collaboration marks Samsung's first involvement with TSMC at the HBM manufacturing stage. Nvidia has requested Samsung, SK Hynix, and Micron Technology to utilize TSMC's process for NVHBM base dies and sixth-generation DRAM technology for core dies. Samsung has accepted these requirements, though it plans to continue its in-house production for standard HBM and other custom products.

सैमसंग Nvidia के अगले-जनरेशन मेमोरी चिप्स के लिए TSMC की तकनीक का उपयोग करेगा

Samsung Electronics कथित तौर पर Nvidia के अगले-जनरेशन हाई-बैंडविड्थ मेमोरी (HBM) चिप्स के लिए बेस डाइस का उत्पादन करने के लिए TSMC की 3-नैनोमीटर प्रक्रिया का उपयोग करेगा। यह सहयोग HBM निर्माण चरण में TSMC के साथ Samsung की पहली भागीदारी को चिह्नित करता है। Nvidia ने Samsung, SK Hynix और Micron Technology से NVHBM बेस डाइस के लिए TSMC की प्रक्रिया और कोर डाइस के लिए छठी-जनरेशन DRAM तकनीक का उपयोग करने का अनुरोध किया है। Samsung ने इन आवश्यकताओं को स्वीकार कर लिया है, हालांकि वह स्टैंडर्ड HBM और अन्य कस्टम उत्पादों के लिए इन-हाउस उत्पादन जारी रखने की योजना बना रहा है।